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Kioxia und Sandisk 4,8 Gbit/s NAND Neuvorstellung
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KIOXIA Corporation und SanDisk Corporation haben eine hochmoderne 3D-Flash-Speichertechnologie entwickelt, die mit einer NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 Gbit/s, überlegener Energieeffizienz und erhöhter Dichte neue Maßstäbe in der Branche setzt. Die innovative Technologie wurde auf der ISSCC 2025, der International Solid-State Circuits Conference, vorgestellt und wird im Zusammenspiel mit der zukunftsweisenden CBA-Technologie CMOS directly Bonded to Array der beiden Unternehmen eingesetzt. CBA ist eine Technologie, bei der jeder CMOS-Wafer und die Wafer mit Speicherzellen separat unter optimierten Bedingungen hergestellt und dann miteinander verbunden werden. Sie nutzt einen der neuesten Schnittstellenstandards, Toggle DDR6.0 für NAND-Flash-Speicher, sowie das SCA-Protokoll Separate Command Address eine Technologie, bei der der Bus für die Befehls-/Adresseingabe und der Bus für die Datenübertragung vollständig in verschiedene Busse getrennt sind, die parallel verwendet werden. Dies verkürzt die Zeiten für die Ein- und Ausgabe von Daten. Eine neuartige Eingabemethode für Befehle und Speicheradressen, und die PI-LTT-Technologie Power Isolated Low-Tapped Termination, die maßgeblich zur weiteren Reduzierung des Energieverbrauchs beiträgt. PI-LTT ist eine Technologie, bei der Stromquellen für die bestehende 1,2-V-Spannung sowie zusätzliche niedrigere Spannungen als Energiequelle für die NAND-Schnittstelle genutzt werden. Dies reduziert den Stromverbrauch bei der Ein- und Ausgabe von Daten.
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Quelle: kioxia.com (D)
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