Intel und Micron stellen neuen 3D NAND Flash Speicher vor. Intel und Micron haben heute ihre gemeinsam entwickelte 3D NAND Technologie vorgestellt, die Flash-Bausteine mit der weltweit höchsten Speicherdichte möglich macht. Flash kommt als Speichertechnologie in den leichtesten Notebooks, schnellsten Rechenzentren und nahezu in jedem Mobiltelefon und Tablet zum Einsatz. Die neue 3D NAND Technologie stapelt Schichten aus Datenspeicherzellen vertikal mit außerordentlicher Präzision, so dass künftige SSDs und andere Datenspeicher eine dreimal höhere Kapazität aufweisen als bei konkurrierenden NAND Technologien. Die höhere Speicherdichte erlaubt kleinere Formfaktoren, senkt Kosten sowie Stromverbrauch und liefert hohe Leistung - sowohl für mobile Endgeräte von Privatnutzern als auch für komplexe Unternehmensumgebungen.
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